Sau vài ngày luyện photoelectrochemistry, BM có một vài thắc mắc sau cũng hơi lùng bùng ! hix ! anh em bro giải quyết nhanh gọn giùm phát !!!
+ Band gap ảnh hưởng thế nào tới độ dẫn điện của vật liệu ?
+ Phân biệt các khái niệm wide band gap và large band gap, về mặt bản chất có giống nhau ko ? Em đọc được hai khái niệm này trong việc giải thích lý thuyết tương tác d10 --- d10 trong hệ Cu2O với CuAlO2.
+ta xét mô hình đơn giản của hệ dye-sensitive solar cell sau:
Trong trường hợp trên, hệ support là nanoporous TiO2, xét phản ứng 2, nếu ta thay hệ support khác có band gap cao hơn hay thấp hơn thì tốc độ của giai đọan 2 thay đổi như thế nào ?
+ Tại sao ta lại dùng hệ support là nanoporous hay nanocrytalline, theo BM được biết nếu ứng dụng nanotech vào thì làm cho band gap của support tăng lên, nhưng BM vẫn chưa hiểu khi band gap tăng lên, thì khả năng inject của electron từ dye vào có tăng lên ko ???
Nếu giải thích tăng lên thì BM cũng ko thể hiểu, vì theo quan điểm lượng tử, khi band có energy level cao, thì electron càng khó inject vào, tương tự độ acceptor của các MO antibonding (empty) !
hix, mấy bro giúp em nhé !