Diễn đàn Thế Giới Hoá Học - View Single Post

sutrovecuanguoisin · 10-27-2006

Ống Nano Carbon với khả năng nhớ

Các ống Nano Carbon (CNT – Carbon Nanotube) đã được chế tạo thành công trong vai trò là các thành phần kích thước nano của mạch, bao gồm các transistor, bộ đổi điện và công tắc điện. Mới đây, một nhóm hai nhà khoa học đã chế tạo sơ khai được một thiết bị nhớ làm bằng các CNT. Tuy vẫn còn xa để trở thành một sản phẩm bán trên thị trường, nhưng thiết bị này đã cho thấy một bước đi quan trọng trong nỗ lực gắn kết các CNT với dòng chảy phát triển của công nghệ điện tử.

“Không giống các thiết bị CNT đã được chế tạo trước đây, chỉ vận hành được ở những nhiệt độ rất thấp và rất khó ứng dụng thực tế, thiết bị của chúng tôi cho thấy những đặc trưng lưu giữ thông tin trong thời gian dài một cách ấn tượng”, Jiyan Dai , một nhà vật lý ở Đại học Bách khoa Hồng Kông, người dẫn đầu nhóm nghiên cứu nói. “Điều này đã chỉ ra rằng, xu hướng sử dụng các CNT để chế tạo các thiết bị nhớ flash là một xu hướng hiện thực và khả thi”.
Dai và cộng sự X.B. Lu đã chế tạo các thiết bị nhớ flash của họ sử dụng các CNT trong vai trò các lớp tích điện. Họ đã gắn các ống nano vào một hợp chất được tạo bởi các nguyên tố hafini, nhôm, và oxy, viết tắt là HfAlO, đóng vai trò vừa là cổng điều khiển, vừa là lớp oxide. Mô hình cấu tạo kiểu “sandwich” như thế này, với mỗi lớp chỉ dày vài nanometer, được đặt trên một lớp nền silic.
Dai và Lu đã xác định các đặc trưng lưu trữ điện tích của thiết bị bằng việc đo, đầu tiên là sự biến thiên điện dung của nó theo một hàm của điện thế đặt vào. Họ cũng đo khả năng giữ được điện tích của thiết bị theo thời gian, từ một vài phần của giây cho đến gần ba giờ đồng hồ. Họ thấy rằng, sự lưu trữ trong khoảng thời gian ngắn không được tốt lắm. Trong khoảng một vài phút đầu tiên, “cửa sổ nhớ”- khoảng điện thế mà trong đó thiết bị có thể giữ được thông tin- trở nên hẹp hơn, đây là một tính chất không được mong đợi đối với các thiết bị nhớ flash. Tuy nhiên, trong khoảng thời gian dài, cửa sổ nhớ đã duy trì được một giá trị vào khoảng 0,5V.
“Chúng tôi tin rằng, những đặc trưng lưu trữ điện tích dài hạn rất tốt mà thiết bị của chúng tôi có được là nhờ vào cấu trúc và tính chất điện học của các CNT”, Dai nói.

Tài liệu tham khảo : Applied Physics Letters 88, 113104 (2006)

10-27-2006	Mã bài: 5051 #2
sutrovecuanguoisin Thành viên ChemVN Tham gia ngày: Sep 2006 Tuổi: 38 Posts: 46 Thanks: 0 Thanked 1 Time in 1 Post Groans: 0 Groaned at 0 Times in 0 Posts Rep Power: 0	Ống Nano Carbon với khả năng nhớ Ống Nano Carbon với khả năng nhớ Các ống Nano Carbon (CNT – Carbon Nanotube) đã được chế tạo thành công trong vai trò là các thành phần kích thước nano của mạch, bao gồm các transistor, bộ đổi điện và công tắc điện. Mới đây, một nhóm hai nhà khoa học đã chế tạo sơ khai được một thiết bị nhớ làm bằng các CNT. Tuy vẫn còn xa để trở thành một sản phẩm bán trên thị trường, nhưng thiết bị này đã cho thấy một bước đi quan trọng trong nỗ lực gắn kết các CNT với dòng chảy phát triển của công nghệ điện tử. “Không giống các thiết bị CNT đã được chế tạo trước đây, chỉ vận hành được ở những nhiệt độ rất thấp và rất khó ứng dụng thực tế, thiết bị của chúng tôi cho thấy những đặc trưng lưu giữ thông tin trong thời gian dài một cách ấn tượng”, Jiyan Dai , một nhà vật lý ở Đại học Bách khoa Hồng Kông, người dẫn đầu nhóm nghiên cứu nói. “Điều này đã chỉ ra rằng, xu hướng sử dụng các CNT để chế tạo các thiết bị nhớ flash là một xu hướng hiện thực và khả thi”. Dai và cộng sự X.B. Lu đã chế tạo các thiết bị nhớ flash của họ sử dụng các CNT trong vai trò các lớp tích điện. Họ đã gắn các ống nano vào một hợp chất được tạo bởi các nguyên tố hafini, nhôm, và oxy, viết tắt là HfAlO, đóng vai trò vừa là cổng điều khiển, vừa là lớp oxide. Mô hình cấu tạo kiểu “sandwich” như thế này, với mỗi lớp chỉ dày vài nanometer, được đặt trên một lớp nền silic. Dai và Lu đã xác định các đặc trưng lưu trữ điện tích của thiết bị bằng việc đo, đầu tiên là sự biến thiên điện dung của nó theo một hàm của điện thế đặt vào. Họ cũng đo khả năng giữ được điện tích của thiết bị theo thời gian, từ một vài phần của giây cho đến gần ba giờ đồng hồ. Họ thấy rằng, sự lưu trữ trong khoảng thời gian ngắn không được tốt lắm. Trong khoảng một vài phút đầu tiên, “cửa sổ nhớ”- khoảng điện thế mà trong đó thiết bị có thể giữ được thông tin- trở nên hẹp hơn, đây là một tính chất không được mong đợi đối với các thiết bị nhớ flash. Tuy nhiên, trong khoảng thời gian dài, cửa sổ nhớ đã duy trì được một giá trị vào khoảng 0,5V. “Chúng tôi tin rằng, những đặc trưng lưu trữ điện tích dài hạn rất tốt mà thiết bị của chúng tôi có được là nhờ vào cấu trúc và tính chất điện học của các CNT”, Dai nói. Tài liệu tham khảo : Applied Physics Letters 88, 113104 (2006)